本文摘要：极紫外光刻技术，沦为潜在的摩尔定律的救世主早已很幸了。

极紫外光刻技术，沦为潜在的摩尔定律的救世主早已很幸了。十几年前，路线图拒绝EUV于2011年报废。直到去年它才开始运行。

EUV源已超过半导体生产所需的200瓦级。然而，曝露的光致抗蚀剂的缺失容许了当前7纳米节点的产量，并且未来的5和3纳米节点将面对更大的问题。现在，基于最先进设备激光器的新型实验室EUV源为开发人员获取了更高的空间和时间分辨率，以便他们解读并解决问题这些问题。

将光刻技术移到EUV波段意味著材料和光源都再次发生了巨大变化。新的13．5纳米EUV等离子体源代替了193纳米的紫外激光器。随着波长增大，光子能量减少，因此来自新的激光驱动的等离子体EUV源的每个光子装载的能量是来自原有激光源的光子的14倍。

更高能量的光子必须新的光刻胶材料，这是一个目前仍在研究中的具备挑战性的化学问题。新的研发的光刻胶或许不存在随机缺失，称作“随机打印机故障”。

这个问题早已沦为EUV光刻技术的首要问题，比利时IMEC探寻材料首席科学家JohnPetersen说道。“我们必须理解正在再次发生的事情的现实化学性质，”IMEC材料和分析小组主任PaulvanderHeide说道。为此，该公司与坐落于科罗拉多州博尔德的KMLabs合作，在比利时创建了一个高分辨率的EUV光学和非同脉冲实验室。

彼得森和其他人在2月25日至28日在圣何塞举办的SPIE高级光刻会议上叙述了该设施。照片：KMLabsKMLabs用作极紫外显微镜的桌面古志谐波源由KMLabs建构的系统通过将来自红外激光器的高功率脉冲探讨到气体中来产生EUV脉冲，以产生激光的古志谐波。

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